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NTMFS4854NS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 6)
Turn ? On Delay Time
t d(ON)
11
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(OFF)
t f
V GS = 11.5 V, V DS = 15 V,
I D = 15 A, R G = 3.0 W
32
54
34
ns
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 30 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.80
0.65
1.2
V
Reverse Recovery Time
t RR
36
Charge Time
Discharge Time
Reverse Recovery Charge
t a
t b
Q RR
V GS = 0 V, dIS/dt = 100 A/ m s,
I S = 30 A
17
19
33
ns
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Source Inductance
L S
0.65
nH
Drain Inductance
Gate Inductance
Gate Resistance
L D
L G
R G
T A = 25 ° C
0.005
1.84
1.4
nH
nH
W
CURRENT SENSE CHARACTERISTICS
Current Sensing Ratio
Current Sensing Ratio
I ratio
I ratio
V GS = 5 V, 0-70 ° C, 5-20 A
V GS = 5 V, 0-70 ° C, 1 ? 5 A
374
362
399
399
424
436
Current Sense Temperature Coefficient
(Note 7)
5. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%.
6. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
7. With 0V potential from sense lead to source lead, i.e. using a virtual ground.
http://onsemi.com
3
0.006
%/ ° C
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